本發明涉及硅晶體生產技術領域,特別是一種硅晶體缺陷檢測方法,包括以下步驟,提供測試樣品;切割并研磨測試樣品;化學拋光:采用混合酸配制的拋光液對測試樣品表面進行拋光;化學腐蝕:采用腐蝕液對測試樣品表面進行腐蝕,經過13?18min硅晶體的缺陷顯露出來。采用上述方法后,本發明可以有效檢測硅晶體中邊緣不純、高不純度、位錯等缺陷,極大的提升了電池片的發電效率;增加了電池組件的使用壽命,提升了光伏發電系統的穩定性。
聲明:
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