本發明公開了一種碲鋅鎘晶片損傷層厚度的檢測方法,本發明先使用體積分數為1%-5%的溴甲醇溶液,對晶片(111)B面進行10-30分鐘的化學梯度減薄,獲表面為斜面的樣品。再使用Everson腐蝕液揭示晶體的缺陷,在100倍視場下用光學顯微鏡進行觀察,確定損傷層剛好完全去除的位置,比較損傷層去除前后的晶片厚度差異,計算損傷層厚度。本發明的優點是:(1)通過觀察晶片表面缺陷的形貌來判斷損傷層厚度,結果直觀準確。(2)能夠在1小時內完成晶片損傷層厚度檢測,不存在多次腐蝕及多次檢測,便利快捷,實用性高。
聲明:
“碲鋅鎘晶片損傷層厚度的檢測方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)