本發明涉及一種輻射檢測器,在輻射線感應型的半導體層、載流子選擇性的高阻抗膜及共用電極的露出面上與硬化性合成樹脂膜之間具有絕緣的非胺系的壁壘層。能夠由該壁壘層進一步抑制半導體層和硬化性合成樹脂膜的化學反應,能夠防止流經半導體層的暗電流的增加。另外,由于壁壘層和半導體層不發生化學反應,所以也不會使半導體層劣化。另外,通過在硬化性合成樹脂膜的上表面設有輔助板,從而能夠制造不產生因溫度變化引起的翹曲和龜裂的輻射檢測器。
聲明:
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