大面積的非晶態GaAs薄膜已經由簡單和廉價磁控濺射技術制備出來了,并且非晶態GaAs薄膜具有半導體特性,但是非晶GaAs薄膜中存在組分偏析所引入大量的結構缺陷,阻礙非晶GaAs材料應用于光電子器件。我們發明的目的在于提供一種化學計量比非晶GaAs薄膜的濺射制備方法,在保證非晶GaAs薄膜的完全無序結構前提下,防止組分偏析,提高非晶GaAs薄膜的光電性能和表面形貌,這為研制短波紅外探測器、太陽能電池以及其他非晶態光電子器件奠定基礎。
聲明:
“制備化學計量比非晶GaAs薄膜材料的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)