本發明屬于材料科學技術領域,具體為一種基于等離子體化學增強氣相沉積直接合成大面積氧化石墨烯的方法。本發明具體步驟包括:對襯底進行預處理;利用等離子體增強化學氣相沉積系統在襯底上生長氧化石墨烯;生長結束后將氧化石墨烯取出;合成的關鍵之處在于氧原子的引入與控制。本發明方法反應時間短,反應溫度低,且氧化石墨烯的含氧量可控。與現有的化學法合成的氧化石墨烯相比,本方法合成的氧化石墨烯具有尺寸大,均勻性好的特點,可用在氣體探測、光電器件等領域。
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