本發明涉及一種化學場效應晶體管氣敏傳感器及其制造方法,所述氣敏傳感器具有至少一個場效應晶體管,其包括:半導體襯底;形成在半導體襯底上的源區、漏區;形成在源區與漏區之間的襯底表面上的溝道區;形成在溝道區上的絕緣層;以及形成在絕緣層上的敏感層,其作為柵極。以及將相同和/或不同柵區氧化層面積、形狀、溝道寬長比和/或柵氧化層厚度的多個場效應晶體管組成傳感器陣列。與普通MOSFET化學場效應管相比,本發明中的化學場效應管將金屬或多晶硅柵極去掉,通過器件的開關狀態變化分辨氣體種類并測量氣體濃度,具有靈敏度高、制造成本低等優點。
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