本發明公開了一種碲鎘汞薄膜材料的化學拋光方法。該方法包括以下步驟:利用化學拋光液對所述碲鎘汞薄膜材料進行N次化學拋光,其中,第i+1次化學拋光的去除厚度小于第i次化學拋光的去除厚度,其中,N≥3,1≤i≤N;將經過N次化學拋光后的碲鎘汞薄膜材料在表面處理液中進行表面處理。借助于本發明的技術方案,解決了現有技術中碲鎘汞表面的組分偏差較大的問題,不僅能夠降低碲鎘汞材料的組分方差,而且使碲鎘汞材料的表面極少氧化物甚至無氧化物,從而使碲鎘汞探測器器件光譜響應均勻性能夠滿足性能要求。
聲明:
“碲鎘汞薄膜材料的化學拋光方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)