本發明公開了一種等離子增強化學氣相沉積裝置及其沉積方法,涉及半導體技術領域。該等離子增強化學氣相沉積裝置包括沉積室、蓋板、測量機構、加熱盤、噴氣盤和升降機構。蓋板蓋設于沉積室上,且共同圍成沉積空腔,升降機構安裝于蓋板上,且與噴氣盤連接,噴氣盤平行間隔地設置于加熱盤的上方,升降機構用于沿預設方向帶動噴氣盤靠近或者遠離加熱盤,測量機構夾持于噴氣盤和加熱盤之間,測量機構用于在等離子增強化學氣相沉積裝置處于工作溫度下測量噴氣盤與加熱盤之間的實際間距。本發明提供的等離子增強化學氣相沉積裝置能夠精確測量工作溫度下噴氣盤和加熱盤之間的間距并對其進行調整,保證沉積膜層的均勻性,提高產品質量。
聲明:
“等離子增強化學氣相沉積裝置及其沉積方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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