本發明提供的化學氣沉積設備的進氣結構和進氣方法的技術方案中,通過利用濃度檢測單元檢測進氣管路上源氣體的當前濃度值,并利用控制單元根據該當前濃度值和目標濃度值控制流量調節單元調節工藝氣體的流量值,可以調節反應腔室中的工藝氣體的質量,以使工藝氣體中的源氣體的質量等于目標質量。這樣,可以實現在不同時刻制備襯底時反應腔室中的工藝氣體中源氣體的質量一致,從而保證反應腔室中硅片生長速率的一致性,提高硅片的厚度一致性,進而提高產品良率。另外,本發明還提供了一種化學氣相沉積設備。
聲明:
“化學氣相沉積設備的進氣結構、進氣方法及設備” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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