本發明涉及用于襯底的化學機械平整化(CMP)的拋光墊、該拋光墊的制造方法及其應用。本發明描述的墊針對拋光規范被定制,其中規范包括(但不局限于)被拋光的材料、芯片設計和結構、芯片密度和圖案密度、設備平臺以及使用的漿料類型。這些墊可設計成具有專門的具有長程有序或短程有序的聚合物納米結構,該結構允許進行分子水平調節以實現非常好的熱-機械特性。更具體地,墊可設計和制造成使得在墊內存在化學和物理特性的均勻和非均勻的空間分布。另外,這些墊可設計成通過表面工程設計(通過添加固體潤滑劑)以及形成具有多個聚合物材料層——這形成平行于拋光面的界面——的低剪切力一體式墊來調節摩擦系數。該墊還具有受控的孔隙率、嵌入磨料、用于漿料傳輸的拋光面上的新穎凹槽(該凹槽是原位生成的)以及用于終點檢測的透明區域。
聲明:
“用于化學機械平整化的定制拋光墊和制造方法及其應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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