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            > 去除速率和平坦化改善的化學機械拋光墊

            去除速率和平坦化改善的化學機械拋光墊

            1035   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
            2023-03-19 06:56:02
            本發明提供一種用于拋光三維半導體或存儲器襯底的化學機械(CMP)拋光墊,所述拋光墊包含熱固性反應混合物的聚氨酯反應產物的拋光層,所述熱固性反應混合物具有固化劑4,4′?亞甲基雙(3?氯?2,6?二乙基苯胺)(MCDEA)或MCDEA與4,4′?亞甲基?雙?鄰?(2?氯苯胺)(MbOCA)的混合物,和聚異氰酸酯預聚物,所述預聚物由以下形成且具有8.6至11wt.%的未反應異氰酸酯(NCO)濃度:一種或兩種芳香族二異氰酸酯,如甲苯二異氰酸酯(TDI),或芳香族二異氰酸酯與脂環族二異氰酸酯的混合物,和聚四亞甲基醚二醇(PTMEG)、聚丙二醇(PPG)的多元醇,或PTMEG與PPG的多元醇摻合物。所述拋光層中的所述聚氨酯根據ASTM?D2240?15(2015)具有50至90的肖氏D硬度、在65℃具有70至500MPa的剪切存儲模量(G′),且在50℃具有0.06至0.13的阻尼分量(G″/G′,通過剪切動態力學分析(DMA)所測量,ASTM?D5279?08(2008))。
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            “去除速率和平坦化改善的化學機械拋光墊” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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