本發明公開了一種故障分析用的半導體試片的制備方法,藉由使用一種非揮發性、非液態且對介電材質具有較高黏著特性而對金屬接觸材料具有較低黏著特性的黏著材料所構成的黏著層,可大面積、高均勻度的選擇性移除介電材料部分厚度,并完整保留金屬接觸材料,且不會與半導體樣品產生化學反應或甚至破壞欲分析的結構,且可藉由選用不同的黏著層材料,控制與介電層的黏著度,進而可以控制移除介電層的厚度,故可提供一種適用于尺寸縮小化的故障分析用半導體試片。
聲明:
“故障分析用的半導體試片的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)