本發明實施例提供了一種硅片缺陷的分析方法及裝置,所述硅片缺陷的分析方法包括:對待檢測硅片表面的預設區域進行粒度分布檢測,確定所述預設區域內所存在的候選缺陷以及所述候選缺陷的位置信息;根據所述候選缺陷的位置信息,對待檢測硅片的表面進行掃描,從所述預設區域內的所有候選缺陷中篩選出目標缺陷;對所述目標缺陷進行能譜分析,確定所述目標缺陷中的雜質元素的含量。本發明實施例的分析方法可以對納米級別的缺陷多方位的評估和檢測,不需任何化學處理和抽真空操作,具有安全,快速和可控性高等優點,對于納米級別的缺陷多方位的評估具有很大的意義。
聲明:
“硅片缺陷的分析方法及裝置” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)