本發明公布了一種基于一維硅納米結構陣列的可見光電化學探測器,屬于納米材料性能和應用領域。特征在于利用光吸收性能優異的一維硅納米結構陣列的光電化學響應特性實現可見光的探測。器件制備過程及所需設備相對簡單,可控性良好,光響應度較高。器件構建過程主要包括:(1)利用金屬催化各向異性化學腐蝕法制備一維硅納米結構陣列;(2)利用磁控濺射或真空蒸鍍技術在一維硅納米結構陣列背面沉積導電層,并進行退火處理形成一維硅納米結構陣列光電極;(3)以一維硅納米結構陣列光電極為基礎,構建可見光電化學探測器。本發明利用一維硅納米結構陣列的高光電化學響應特性構建了可見光電化學探測器,拓展了半導體納米材料的應用領域。
聲明:
“基于一維硅納米結構陣列的可見光電化學探測器” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)