本發明所述的實施例關于在化學機械拋光制程中檢測目標基板的終點的方法。在一個實施例中,該方法包括以下步驟:以第一薄膜移除速率拋光一或多個參考基板以提供參考光譜;以第二薄膜移除速率拋光一或多個目標基板以提供一或多個目標基板的當前光譜,其中第二薄膜移除速率不同于第一薄膜移除速率;基于在拋光一或多個參考基板過程中收集的參考光譜,使用所獲得的一系列終點值來識別形成于一或多個目標基板上不同層之間的界面轉變。
聲明:
“通過選擇性改變檢測不同層之間的界面以在化學機械拋光過程中進行的終點控制” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)