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            > VDMOS垂直柵場效應晶體管性能檢測裝置

            VDMOS垂直柵場效應晶體管性能檢測裝置

            1214   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
            2023-03-19 06:22:11
            本發明涉及晶體管檢測技術領域,尤其為VDMOS垂直柵場效應晶體管性能檢測裝置,包括電路板和晶體管,所述電路板的頂端固定連接有擋板,所述擋板的頂端一側固定連接有水平設置的電熱絲,所述電路板的頂端電性連接有鋼絲,所述鋼絲的另一端固定連接有水平設置的壓板,所述壓板的頂端固定連接有豎直設置的彈簧,且彈簧的頂端與電路板的底端固定連接,本發明中,通過設置的電熱絲、曲桿和金屬絲實現對高溫狀態下的晶體管的穩定性測試,能夠檢測晶體管能否在散熱不良的惡劣的工作環境中正常運作,縮短實驗參數與實際使用的參數之間的差距,這種設計構思新穎,設計科學,具有巨大的經濟效益和廣泛的市場前景,值得推廣使用。
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            “VDMOS垂直柵場效應晶體管性能檢測裝置” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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