本發明公開了一種Cr2O3半導體復合無機膜的制備方法,該方法利用硅灰?偏高嶺土基無機聚合物膜強堿性的特點,把硅灰?偏高嶺土基無機聚合物膜分離的重金屬Cr3+離子直接轉化為氫氧化鉻沉積于硅灰?偏高嶺土基無機聚合物膜表面,通過焙燒氫氧化鉻分解為Cr2O3半導體,制得成本低廉的Cr2O3半導體復合無機膜。將該Cr2O3半導體復合無機膜應用于光催化?膜分離耦合處理染料廢水,不僅實現對重金屬廢水的有效處理及重金屬離子的資源化利用,而且又可以綠色零污染的實現染料廢水完全降解。
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