本發明公開了一種氧化亞硅/金屬復合薄膜負極的制備方法,(1)將歧化后的氧化亞硅粉體壓制成靶材;(2)采用磁控濺射法在銅箔表面制備一層氧化亞硅薄膜;(3)采用磁控濺射法在氧化亞硅薄膜表面制備一層金屬顆粒;(4)依次重復步驟(2)和步驟(3)n次。本發明還公開了一種采用上述方法制備得到的氧化亞硅/金屬復合薄膜負極。本發明首次提出采用歧化后的氧化亞硅粉體制成靶材并利用磁控濺射法制備歧化后的氧化亞硅薄膜負極,該方法的氧化亞硅薄膜負極結構可通過薄膜結構緩解其儲鋰體積膨脹效應,并利用金屬顆粒提升氧化亞硅薄膜負極的導電性,從而提升其倍率性能。本發明中的負極結構具備優異的倍率特性、循環穩定性以及高的比容量。
聲明:
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