本發明公開了一種暴露高能(111)晶面立方結構Cu2Se單晶納米線的制備方法,采用簡單的溶劑熱法,制備出暴露高能(111)晶面且具有大的縱橫比的立方相Cu2Se單晶納米線,Cu2Se納米線沿[-202]方向生長,納米線的直徑為142nm~1.1μm、長度為5.4~102μm。本發明操作簡單,成本低,重復性和一致性好,所制備的暴露高能(111)晶面立方結構Cu2Se單晶納米線可望在光催化、太陽能電池、超離子導體、鋰離子電池和超級電容器等應用中體現增強的光電性能。
聲明:
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