本發明涉及聲學濾波器技術領域,特別涉及一種用于聲學濾波器的異質單晶薄膜的制備方法。該異質單晶薄膜的制備方法包括以下步驟:提供異質薄膜結構;該異質薄膜結構包括壓電薄膜;對該異質薄膜結構進行后退火處理;該后退火溫度范圍為300?800攝氏度;該后退火的氛圍內含有與該壓電薄膜對應的元素材料。從而能夠在實現提高鍵合強度,恢復晶格缺陷的同時,還能夠有效抑制壓電薄膜中鋰元素和氧元素等的外釋問題,提高異質單晶薄膜的質量。
聲明:
“用于聲學濾波器的異質單晶薄膜的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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