本發明公開了一種低膨脹的硅基負極材料及其制備方法和應用,包括:氧化亞硅基體、以及均勻分散在氧化亞硅基體中的三維枝狀的氣相二氧化硅;三維枝狀的氣相二氧化硅的質量占氧化亞硅基體的質量的百分比為0.1%?10%;三維枝狀的氣相二氧化硅的鏈狀聚集體的尺寸在100nm?500nm之間;生成三維枝狀的氣相二氧化硅的原生粒子的粒徑在7nm?40nm之間;本發明的硅基負極材料,由于三維枝狀的氣相二氧化硅構成的網絡結構具有高強度和高韌性,在脫嵌鋰的過程中可以分散氧化亞硅體積膨脹收縮的應力,降低材料的膨脹率,提高材料的循環性能。
聲明:
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