一種部分氧空位B3+摻雜玻璃態鉀快離子導體K2O·4SiO2及其制備方法,其特征為:化學計量式為K2O·4Si1?xBxO2?0.5x,其中:x=0.01?0.10;采用無規K2O·4SiO2結構,使得鉀離子在體系中各向同性傳導;通過B3+摻雜獲得部分氧空位,為鉀離子傳導提供新的傳導路徑,進一步降低了鉀離子傳導活化能,提升了鉀離子活動能力及電導率,使得該鉀快離子導體的常溫鋰離子電導率超過4·10?4S/cm,使其能作為性能優異的鉀快離子導體使用;同時通過高壓條件的反應,抑制反應物的不均勻揮發從而導致產物的組分偏離。
聲明:
“部分氧空位B3+摻雜玻璃態鉀快離子導體K2O·4SiO2及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)