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            > 制備硫化亞錫納米片陣列薄膜的方法

            制備硫化亞錫納米片陣列薄膜的方法

            773   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
            2023-03-19 00:19:43
            一種納米材料制備技術領域的制備硫化亞錫納米片陣列薄膜的方法,所用的錫源為氯化亞錫,硫源為硫代乙酰胺,螯合劑為三乙醇胺,采用原位溶劑熱法制備具有規則的納米片陣列薄膜。首先將亞錫鹽溶于三乙醇胺、丙酮以及檸檬酸鈉溶液中,再加入氨水調節PH,加入硫源后,最后混合溶劑體積比為1:1的水/乙二醇加入,得到SnS前體反應液。反應液并加入反應釜,再插入玻璃片,進行溶劑熱原位反應,即可得到具有規則的納米片陣列薄膜。本發明方法簡單,成本低,陣列均一,納米片厚度為4~8nm,長度約為150~210nm,這為硫化亞錫在太陽能電池、光催化、鋰離子電池及超級電容器的應用提供一種有效的方法。
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