本發明涉及半導體材料V2O5@Ag、V2O5@Cu的制備及應用,包括:將納米材料V2O5在超聲條件下分散于含有M離子及化合物的溶液中,使納米V2O5均勻分散,然后在攪拌下陳化一段時間,使納米V2O5對M離子及化合物的吸附達到飽和;將上述溶液離心分離,將沉淀即吸附了M離子及化合物的納米V2O5漂洗后攪拌分散在一定濃度的還原劑溶液中,充分反應,然后分離、漂洗、干燥,即得V2O5@M納米半導體復合材料。該方法操作簡單,時間短,成本低,環境友好,重復性好,效率高,能快速有效的制備納米半導體復合材料,具有普適性和規模生產價值。本發明制備的納米半導體復合材料V2O5@Ag、V2O5@Cu提高了鋰離子電池正極材料電化學性能,在電化學等領域具有廣闊的應用前景。
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