本發明的目的在于提供一種晶須集合體的制造方法,該晶須集合體的制造方法可以在未成膜種原子層的襯底上直接使不含有種原子的晶須集合體生長。在被形成襯底的對面配置種襯底,并且導入含有硅的氣體進行減壓化學氣相淀積。被形成襯底的種類只要是能夠承受進行減壓化學氣相淀積時的溫度的襯底,沒有特別的限制??梢允共缓蟹N原子的硅晶須集合體接觸于被形成襯底上而直接生長。再者,通過利用所形成的晶須集合體的表面形狀特性,可以將形成有晶須集合體的襯底應用于太陽電池或鋰離子二次電池等。
聲明:
“晶須集合體的制造方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)