石英管或石墨坩堝鍍裂解碳裝置,它涉及一種鍍裂解碳裝置,本實用新型為解決生長含鋰的半導體在溫度高于800℃時,鋰揮發導致生長單晶體用石英管內壁發生嚴重腐蝕、甚至石英管破裂以及現有的石墨坩堝含有大量的孔隙導致表面粗糙、不利于生長單晶體的問題。石英管沉淀管平放在加熱爐內且管口設置在加熱爐外,石英管沉淀管內的側壁設置有石英支架;將待鍍石墨坩堝設置在石英管沉淀管內并通過石英支架支撐,沉淀管蓋緊密套裝在石英管沉淀管管口處的外壁上,第一進氣管的一端穿過沉淀管蓋的第一蓋孔設置在待鍍石墨坩堝的底部。本實用新型用于在石英管或石墨坩堝上鍍裂解碳。
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