本發明提供了一種半導體金屬氧化物的原位合成方法,包括:在基底上涂覆一層液態金屬醇化物M(OR)y或其溶液或TiCl4,置于空氣中10秒以上,形成水解層;再將其置于高溫熱臺上,在高于400℃溫度下,在空氣中煅燒2分鐘以上,即得到半導體金屬氧化物,其中,M代表金屬元素,R代表烷基單元,OR代表醇根陰離子;再通過30-60分鐘的退火(退火溫度400-500℃),即可以得到結晶性良好的半導體氧化物。相比于同體系的納米顆粒材料,本發明制備的半導體金屬氧化物結晶性更高,載流子遷移率更大。合成的材料非常有望在染料敏化太陽能電池、光解水制氫、光降解有機污染物及鋰離子電池等領域得到廣泛的應用。
聲明:
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