本發明涉及一種固相剝離制備高分散稀土離子摻雜氯氧化鉍二維納米片的方法,屬于半導體材料技術領域。本發明在固相合成法制備B3O4Cl二維半導體材料中,加入稀土離子和Li+離子作為共同固相剝離劑;其中,稀土離子為稀土Er3+離子和/或Lu3+離子,稀土離子與B3O4Cl中Bi3+的摩爾比為1:(10~1000),Li+離子與B3O4Cl中Bi3+的摩爾比為1:(4~100);稀土Er3+離子、稀土Lu3+離子的加入形式為稀土氧化物、稀土硝酸鹽、稀土氯化物、稀土氟化物或稀土溴化物;Li+離子的加入形式為碳酸鋰,硝酸鋰,氯化鋰或氟化鋰。本發明的固相剝離制備Bi3O4Cl納米片的方法簡單易行、原材料成本低;高分散稀土離子摻雜氯氧化鉍二維納米片可作為光催化材料、傳感器材料等。
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