本發明公開了一種襯底上單晶薄膜的通孔刻蝕方法,包括以下步驟:在襯底上單晶薄膜表面形成通孔窗口圖形掩膜層;通過窗口刻蝕單晶薄膜;去除圖形掩膜層,得到刻蝕了通孔圖形的單晶薄膜;該方法與主流的簡單粗放地采用傳統刻蝕鈮酸鋰條形不同,而是通過具有高刻蝕選擇比的掩膜層來高精密地刻蝕穿孔鈮酸鋰薄膜,且可與下層襯底金屬互聯,實現襯底與鈮酸鋰集成和控制;為鈮酸鋰基器件與下層襯底進一步電氣連接提供重要技術性基礎。
聲明:
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