本發明提供了一種n型晶體硅太陽電池及其制備方法。所述n型晶體硅太陽電池的背場是通過n型晶體硅和n型晶體硅背面的低功函材料來實現的;低功函材料為低功函金屬或低功函合金;低功函金屬可以為鎂、鍺、鋰、釹或鈣等,低功函合金可以為鎂釹合金、鎂鍺合金、鎂鋰合金、鍺鋰合金或鈣鎂鍺鋰合金等。將低功函金屬或低功函合金制作在n型晶體硅的背面,可實現能帶彎曲,形成“n?n+”高低結,進而可驅趕空穴,增強電子的傳輸功能,使電池獲得高的開路電壓及短路電流,提高電池的效率。而且,制備過程簡單,成本低,無需高溫,無需后退火處理,還不會給硅片帶來損傷,也不會對環境造成污染。
聲明:
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