本發明公開了一種原子層沉積(Atomic?Layer?Deposition,ALD)修飾的鋰離子電池及其制備方法,本發明公開的原子層沉積修飾的鋰離子電池正、負極活性物質材料至少擇一表面形成有修飾層,所述修飾層采用原子層沉積工藝形成;或者正、負極極片至少擇一表面形成有修飾層,所述修飾層采用原子層沉積工藝形成。
聲明:
“原子層沉積修飾的鋰離子電池及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)