一種化學計量比鈮酸鋰單晶的制備方法,其特征 在于它是采用電阻加熱液相外延爐,在低于鈮酸鋰(以下簡稱 LN)熔點(1260±15℃)和居里點(1150±10℃)的結晶溫度下,將 非化學計量比LN單晶襯底從含有助溶劑K2O的LN飽和溶液中高速旋轉并緩慢提拉的過程中,在非化學計量比LN單晶襯底上生長化學計量比的LN單晶。采用本發明方法可在非化學計量比LN單晶上生長出一定厚度的化學計量比LN單晶,無需極化即為單疇晶體,具有較高的光學均勻性和質量,可以滿足日益發展的光電技術的市場需求。
聲明:
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