本發明公開了一種薄膜鈮酸鋰單偏振波導及其制備方法,屬于集成光子學領域。該波導從上至下包括上包層、鈮酸鋰薄膜波導芯層、下包層和襯底層;所述鈮酸鋰薄膜波導芯層包括脊形波導和位于所述脊形波導兩側的槽形區域;脊形波導的寬度和刻蝕深度小于TM0模式存在截止值,脊形波導中的TM0模式與和所述槽形區域中的TE1模式發生交叉耦合;槽形區域的寬度取值使得從所述脊形波導中TM0模式耦合到兩側槽形區域的TE1模式與泄漏到槽形區域的TM0模式發生相干相長。通過優化微納光波導結構的幾何參數,獲得僅支持TE0模式穩定傳輸的波導結構。本發明中的薄膜鈮酸鋰單偏振波導對光場的限制能力強,提高了器件的集成度,簡化了工藝流程。
聲明:
“薄膜鈮酸鋰單偏振波導及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)