本發明涉及一種g?C3N4包覆且含有氧空位的富鋰錳基層狀材料、制備方法及其應用,屬于鋰離子電池技術領域。所述材料以富鋰錳基層狀材料基體,層狀結構表面含有氧空位,且最外層包覆有g?C3N4;g?C3N4包覆層的厚度為1nm~10nm,氧空位的量與g?C3N4的量成正比。所述方法通過將富碳氮的原料與富鋰錳基層狀材料混合后,在惰性氣體氛圍下煅燒,原位生成g?C3N4導電子層,同時副產物反應生成具有氧空位的導離子層,雙導保護層的預構使其倍率性能以及循環穩定性共同提高。
聲明:
“g-C3N4包覆且含有氧空位的富鋰錳基層狀材料、制備方法及其應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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