本發明公開了一種摻錫鈮酸鋰晶體,在鈮酸鋰晶體中摻入有錫離子 Sn4+,所述錫離子Sn4+的摻入量為0.1~6.0mol%(摩爾百分比),且鈮酸鋰晶 體中含有比例為(0.93~1.41)∶1的鋰離子Li1+與鈮離子Nb3+。本發明公開的 摻錫鈮酸鋰晶體具有摻雜閾值低,抗光折變能力較強,且易于生長等優點。 本發明的摻錫鈮酸鋰晶體的抗光折變能力比同成份鈮酸鋰晶體提高了4個量 級,比同成分摻鎂鈮酸鋰晶體提高了1個量級,因此其作為一種摻雜閾值低、 抗光折變能力強、且易于生長的光學材料,可以完全取代高摻鎂鈮酸鋰晶體 的應用,具有巨大的市場前景和重大的生產實踐意義。
聲明:
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