本發明公開了一種Y波導集成光學器件鈮酸鋰芯片的制備方法,主要包括在襯底片上制備SiO2波導掩模、質子交換、退火、電極剝離、電極電鍍、芯片切割和端面磨拋步驟。本發明采用純苯甲酸作為質子交換源,質子交換溫度150℃~170℃,時間170-210分鐘。為防止波形傾斜,在質子交換后,先腐蝕掉SiO2波導掩模,對晶片進行清洗,在鈮酸鋰晶片上重新生長一層SiO2隔離層,再進行退火。本發明采用純苯甲酸作為質子源,提高了工藝過程的一致性,降低了對實驗室的環境污染;通過腐蝕掉SiO2波導掩模,重新生長波導隔離層,確保器件波形不產生傾斜畸變。
聲明:
“Y波導集成光學器件鈮酸鋰芯片的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)