本發明涉及光纖通信和傳感技術領域,特別是涉及一種鈮酸鋰調制器芯片及其制作方法,鈮酸鋰調制器芯片的制作方法包括:在鈮酸鋰基片上表面制作一層掩膜;在所述掩膜上沿Y軸方向刻蝕出光波導掩膜窗口,并在所述光波導掩膜窗口內的鈮酸鋰基片上表面制作光波導;在所述光波導兩側分別制作金屬電極,并對所述鈮酸鋰基片的光輸入面、光輸出面以及±Z面進行切割,形成鈮酸鋰調制器芯片;在鈮酸鋰調制器芯片的±Z面分別制作導電薄膜,并在鈮酸鋰調制器芯片的下表面制作導電涂覆層,使±Z面的導電薄膜通過所述導電涂覆層連接導通。本方案可有效降低變溫過程中鈮酸鋰晶體熱釋電效應對鈮酸鋰調制器性能的影響,提高鈮酸鋰調制器的全溫性能。
聲明:
“鈮酸鋰調制器芯片及其制作方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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