本發明提供一種鈮酸鋰單晶薄膜芯片及其制作方法。制作方法包括在支撐晶圓上依次制備介質層和鈮酸鋰薄層;對介質層與鈮酸鋰薄層之間的鍵合界面進行缺陷檢測;分析并記錄二維尺寸大于預先設定值的缺陷的位置;在缺陷的周圍設置隔離槽,隔離槽在周向上包圍缺陷,隔離槽的深度大于或等于鈮酸鋰薄層的厚度。通過該制作方法制作的鈮酸鋰單晶薄膜芯片不僅能夠有效地防止缺陷的擴大和擴散,而且能夠有效地釋放大片鈮酸鋰薄層在晶圓上的應力積累。
聲明:
“鈮酸鋰單晶薄膜芯片及其制作方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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