本發明涉及一種基于雙層鈮酸鋰薄膜的光子線脊波導倍頻芯片及其制備方法。所述基于雙層鈮酸鋰薄膜的光子線脊波導倍頻芯片包括由頂層鈮酸鋰薄膜,中層二氧化硅、下層硅基襯底組成的復合結構,其特征在于,所述鈮酸鋰薄膜為雙層鈮酸鋰薄膜結構,雙層鈮酸鋰薄膜中的上層鈮酸鋰薄膜與下層鈮酸鋰薄膜的自發極化方向相反,鈮酸鋰薄膜呈脊波導結構。本發明提供的基于雙層鈮酸鋰薄膜的光子線脊波導倍頻芯片具有雙層鈮酸鋰薄膜結構,上下兩層鈮酸鋰薄膜的自發極化方向相反,消除了倍頻光的高階模上下兩個旁瓣在模式重疊積分中相互抵消的效應,從而大大提高了模式相位匹配過程的轉換效率。
聲明:
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