本發明公開了一種用于人工光合作用的氮化鎵基器件,自下而上有玻璃襯底、鉬層、CIGS層、CdS層、本征ZnO層、TCO層、鍵合界面層、GaN層、InGaN層、NiO納米顆粒層。其制備步驟如下:在玻璃襯底上沉積鉬層,在其上共蒸發生長CIGS層,再依次沉積CdS層、ZnO層、TCO層;在GaN襯底上生長InGaN層;通過鍵合技術將GaN襯底鍵合于TCO層上,再在InGaN層表面生長NiO納米顆粒層,獲得用于人工光合作用的氮化鎵基器件。本發明的氮化鎵基器件具有吸收系數高、電流易調整且穩定性高的優點,可作為光陽極材料用于人工光合作用中,對減少二氧化碳排放以及新能源的開發利用具有非常重要的意義。
聲明:
“用于人工光合作用的氮化鎵基器件及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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