本發明涉及一種導電基底負載的二硫化錫?硫化鎳核殼異質多孔納米墻陣列結構及其制備方法,屬于新能源材料制備技術領域。在本產品中,構成納米墻的納米片內部是二硫化錫,殼層為均勻包覆的多孔硫化鎳,且納米墻垂直于導電基底形成均勻陣列結構。本發明產品的合成方法,首先通過溶劑熱法制備出導電基底負載的二硫化錫納米片陣列結構;然后以此為模板,以氯化鎳作為鎳源,在二次溶劑熱過程中在二硫化錫表面均勻生長出多孔硫化鎳薄層;最終獲得所述產品。本方法原材料簡單易得、設備和制備過程簡單、工藝參數可控性強、產品收率高、生產過程清潔環保、易實現規?;a;所述納米結構密度大、產量大、純度高、形貌可控,電化學儲能性能優異。
聲明:
“二硫化錫-硫化鎳核殼異質多孔納米墻陣列結構及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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