本發明屬于新能源新材料領域,尤其涉及一種ITO薄膜,具體為一種高透高遷移率ITO薄膜的制備方法。該方法包括以下步驟:S1、在襯底上生長In2O3籽晶層;S2、在S1生長的In2O3籽晶層上生長ITO薄膜;S3、將S2中的復合薄膜進行退火處理。本發明提供的ITO薄膜的制備方法,通過在兩步法制備ITO薄膜引入In2O3籽晶層,提高了與P型半導體材料的接觸特性,同時在制備過程中引入氫氣,提高了ITO薄膜透過率、與載流子遷移率,薄膜材料的性能顯著得到提高。
聲明:
“高透高遷移率ITO薄膜的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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