本發明公開了一種提純太陽能級多晶硅的裝置與方法,屬于新能源材料制備技術領域。本方法首先將工業硅粉碎后,經超聲和氣體攪拌酸洗處理,去除暴露表面的工業硅中主要的金屬雜質元素;然后經由真空感應熔煉、三區控溫半連續單向凝固、高真空電子束熔煉和二次三區控溫半連續單向凝固進一步提純;最后獲得具有均勻柱狀凝固組織的多晶硅鑄錠。本發明所涉及的方法與裝置,具有工藝穩定、成本低廉、無污染、設備操作方便等優點,所制備的多晶硅鑄錠組織均勻、無裂紋、無氣孔,適用于制備太陽能電池。
聲明:
“提純太陽能級多晶硅的裝置與方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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