本發明涉及一種表面富硒的NiSe2納米片的制備方法,屬于無機半導體納米材料技術領域。本發明先合成Ni(OH)2薄片,然后在高溫下硒(Se)化得到表面富硒的NiSe2納米片。本發明所合成的富硒的NiSe2納米片化學性穩定、結晶性好、析氫性能優良,同時,本發明所述方法制備工藝簡單,操作方便且成本低,利用本發明方法可制造電化學析氫半導體材料,應用在新能源領域。
聲明:
“表面富硒的NiSe2納米片、其制備方法及用途” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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