本發明涉及一種納米柱森林的加工方法,其步驟包括:1)準備并清洗所選用的襯底;2)在襯底的表面上旋涂光刻膠,并對光刻膠依次進行前烘、曝光和顯影,最后形成光刻膠圖形;3)對光刻膠圖形進行氧等離子體干法刻蝕,在襯底上形成一層圖形化的納米點狀結構;4)用納米點狀結構為掩模,各向異性刻蝕襯底,形成初始納米柱;5)在初始納米柱表面保形沉積薄膜;6)通過各向異性刻蝕薄膜,在初始納米柱的周圍形成側墻;7)以包裹側墻的初始納米柱為掩模,各向異性刻蝕襯底,形成納米柱;8)去除納米柱表面上的側墻殘留,得到圖形化的納米柱森林結構。使用本發明制作的圖形化納米柱森林可廣泛應用于新能源器件、生物醫學檢測器件、微流控器件、電子器件以及納米壓印中。
聲明:
“納米柱森林的加工方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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