本發明公開了一種具有鈣鈦礦復合柵結構的GaN HEMT光電探測器及其制備方法,其中,GaN HEMT光電探測器包括襯底、位于襯底上的GaN緩沖層、位于GaN緩沖層上的AlGaN勢壘層、位于AlGaN勢壘層表面兩側的源漏電極,以及位于源漏電極之間的復合柵結構,其中,復合柵結構包括位于AlGaN勢壘層上的鈣鈦礦以及位于鈣鈦礦層上的TCO層。本發明將鈣鈦礦圖形化后,與透明導電氧化物組成復合柵結構,并將其用在氮化鎵HEMT光電探測器上,以使鈣鈦礦材料優異的光電性能與HEMT器件的高遷移率、高開關比特性相結合,從而獲得更好的光電響應,擴大了器件應用范圍。
聲明:
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