本發明公開一種2D+2D的MoS2?Ag?rGO納米復合物及其制備方法,屬于納米復合材料技術領域。本發明的目的是提供一種提高半導體襯底的SERS活性的方法,本發明中的復合物由鱗片狀MoS2納米片均勻地修飾在Ag?rGO納米片的表面形成,在發明中,調節反應時間從而改變MoS2?Ag?rGO復合結構中MoS2納米片的含量與性能,并利用材料的本征拉曼光譜對其變化進行驗證;并通過SERS活性檢測,說明這種MoS2?Ag?rGO結構既能夠明顯改善單純的MoS2的SERS性能又能夠有效抑制其熒光背景信號。
聲明:
“2D+2D的MoS2-Ag-rGO納米復合物及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)