本發明涉及一種鉬改性碳化硅/銅復合電子封裝材料的制備方法,屬于電子封裝材料技術領域。針對碳化硅與金屬銅的潤濕性較差且高溫下易與銅發生反應,致使制備的復合材料的熱導率降低的問題,本發明提供了一種鉬改性碳化硅/銅復合電子封裝材料的制備方法,本發明采用稻殼為原料,通過稻殼先炭化再高溫合成兩步法制備出碳化硅晶須,將碳化硅晶須經超聲除油,氫氟酸除二氧化硅后,在其表面磁控濺射一層鉬層,經高溫處理使鉬層重結晶致密化后聚集長大在碳化硅表面形成一層連續致密的鉬層,改善碳化硅與金屬銅的潤濕性,增強界面結合力,再將其與銅粉混合均勻,經冷壓成生坯后,真空熱壓燒結制得鉬改性碳化硅/銅復合電子封裝材料。
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