本發明涉及光催化半導體材料技術領域,具體為一種SiP2量子點/光催化材料及其制備方法。通過機械剝離的的方法將大顆粒的SiP2單晶超聲成小尺寸的SiP2量子點,然后通過滴加、旋涂或者浸漬的方法將SiP2量子點均勻的覆蓋在光催化材料的表面得到SiP2/光催化材料復合材料。本發明中SiP2量子點能夠拓寬吸光范圍、加快電子分離與傳輸、降低光催化能壘、提高效率,此外用量少,價格低,不會對TiO2等光催化劑材料的穩定性等造成影響。另外通過機械剝離獲得納米級SiP2是高度可行的并且表現出優異的光催化性能,其制備方法簡單,因此將SiP2量子點與半導體光催化劑進行復合提高催化效率將有很大的應用前景及意義。
聲明:
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