本發明涉及一種Si/C/Zr陶瓷前驅體及其制備方法,屬于陶瓷材料技術領域。本發明制備的Si/C/Zr陶瓷前驅體采用格式偶聯反應方法制備,可將Si與Zr元素以原子水平同時引入到聚合物主鏈中,得到硅鋯一體化聚合物,合成工藝簡單易行,合成產率及產物純度較高;本發明反應原料聚碳硅烷中含Si-H鍵及C≡C鍵,熱固性好,在一定的溫度下可自身交聯固化,且固化放熱量小,固化失重低,工藝性好,且陶瓷產率高,可達60-70%;本發明Si/C/Zr陶瓷前驅體可用于超高溫陶瓷基復合材料浸漬基體,亦可用于Si/C/Zr陶瓷涂層、纖維等高性能材料的制備,具有廣泛的用途。
聲明:
“Si/C/Zr陶瓷前驅體及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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